Transistor

Du kan bara lösa uppgiften kvalitativt, dvs beskriva principiellt vad som kommer att hända.

Jag kan inte tyska så bra, men jag tror att "durchlassbereich" kan översättas ungeför till "maximal strömgenomsläpplighet". Grafen är hämtad från transistorns specifikationsdatablad, och beskriver därför inte nödvändigtvis de strömnivåer som kommer att inträffa i uppgiftens kretsschema. Den kollektorström som kommer att flyta i kretsen beror på hur stor ström som R2 tillåter att flyta, medan databladspecifikationen sätter den maximala gränsen för denna ström.

Jag saxade en principfigur från wikipedia som förklarar hur en NPN-transistor fungerar (alltså den typ av transistor som visas i din figur). För att lösa uppgiften måste du förutom att titta i grafen, också veta att transistorn är en strömförstärkare enligt 

$I_C=förstärkningsfaktor·I_B$

(om $U_{BE}>tröskelvärde$)

Kan du utifrån detta, lösa uppgiften?