Parallella potentialer i diodkrets
Hej!
Jag har denna uppgift:
Och jag är osäker på hur man ska hantera potentialerna bakom D1 samt D2.
I facit står det:
a) D2 leder, D1 spärrar
b) D1 leder, D2 spärrar.
Bara för att säkerställa att jag förstår rätt;
Ström flyter från hög till låg potential. I a) får noden efter dioderna den högre potentialen +3V, och då flyter strömmen därifrån till +1V bakom D1 där den inte kommer fram, således bryter den?
Och i b) blir potentialen i noden den lägre +1V. Därför kan inte ström flyta från +3V till noden, och D2 bryter?
Men hur går det till att det kan vara olika potentialer till att börja med? Det är ju som sagt inte något spänningsfall över de ideala dioderna. Det känns ju mer logiskt då att alla tre ledningar borde ha samma potential?
I fall a: Rätt, det är spänningen +3V som bestämmer vad Vut blir. Det flyter ingen ström genom D1 i backriktningen, det är som om den inte fanns.
I fall b: Också rätt.
Om du tänker dig en backspänd diod som ett avbrott så så blir det kanske lättare att förstå. I en verklig diod så flyter det en liten ström även i backriktningen men det handlar om nanoampere. Jämfört med strömmen i motstånden är den helt försumbar.
OK. Finns det någon bra regel att gå efter för att bestämma vilken potential noden får?
Jag tror du nämnde att vi ser dioderna som "ideala" komponenter. Dvs ingen resistans och spänningsfall i framriktning, oändlig resistans i backritning.
Då blir det potentialen som är kopplad till den framspända dioden som bestämmer potentialen i noderna.
I a är D2 framspänd så Vut blir +3V.
I b är det D1 som blir framspänd så då blir Vut +1V.
Lite överkurs:
De här kopplingarna kallas ibland för "wired or" och "wired and".
I fallet a blir utgången hög om någon av ingångarna är hög, dvs en OR-grind.
I fallet b blir utgången hög om båda ingångarna är höga, dvs en AND-grind.
