Dimensionering av resistanser i ett GE-förstärkarsteg

Hej!

Jag har några uppgifter där jag ska dimensionera ett GE-steg med NPN-BJT transistor, men jag vet inte vilka riktlinjer man ska följa. Det här är något som lärarn gick igenom på tavlan en gång, och vilket jag tyvärr inte skrev ner. Hittar inget om det på internet heller.

Jag menar alltså på de reglerna i stil med "Urc ska vara ungefär x% av Vcc"

De "tumregler" jag kommer ihåg är att man lägger DC-arbetspunkten så att det blir ca 10-20% av matningsspänningen över emittermotståndet.
Motstånden på basen kan vara ca 10ggr större än Re, Rc.
Storleken på Rc, Re beror på transistorn och vilken utimpedans och förstärkning man vill ha.

Svara